内存技术趋势和挑战

最近,TechInsights Jeongdong Choe博士主持了一个内存网络研讨会,TechInsights高级技术研究员,讨论最新的DRAM内存技术趋势和挑战和NAND闪存设备。

DRAM单元扩展到10 nm设计规则(D / R)一直持续。主要DRAM球员发展第二代,所谓D1b D1c和超越。这意味着DRAM单元D / R可能进一步缩小到个位数纳米时代。最近,DRAM单元扩展速度也因多重挑战,包括流程集成、渗漏、和感知。创新技术,如higher-k电容器介质材料、电容器、支柱休会通道晶体管和high-k金属门(HKMG)外围晶体管中可以看到最先进的DRAM产品。

在NAND闪存空间,制造商继续比赛对3 d NAND垂直门数字增加存储密度。他们计划下一个3 d NAND闪存产品,其中包括232 l / 238 l和4 xxl甚至8 xxl)。到目前为止,五个不同类型的3 d与非主流架构如V-NAND, BiCS, CuA, 4 d举办,Xtacking。

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