发布日期:2017年11月9日
Intel/Micron 64L 3D NAND分析
英特尔545S SSD于2017年6月推出，是首款包含英特尔/美光64L 3D NAND的产品，也是首款使用64L的SSD之一。该设备拥有更紧凑的模具平面图，改进的内存外设设计，内存密度从32L增加了90%。
这个装置引起我们注意的原因有很多，我们对它进行了大量的分析。我们提供几种不同类型的关于英特尔/美光64L 3D NAND的报告，以及通过我们的各种订阅产品和工具提供的信息。
32L与64L的比较
Intel/Micron 64L FG NAND Flash器件的技术创新:32L与64L的比较
TechInsights的高级技术研究员jedong Choe博士指出了以下32L 3D NAND和64L 3D NAND的比较。
TechInsights一直在分析英特尔/美光最近发布的64L 3D FG NAND器件，我们发现了他们成功开发并应用于64L NAND产品的一些创新，这些创新与他们之前的32L 3D NAND产品截然不同。
1.模具尺寸，内存密度和阵列效率:Intel/Micron 64L 3D NAND模具(58.18 mm2)的尺寸是以前32L (168.2 mm2)的四分之一。由于更小的模具尺寸，每个模具的内存密度从2.28 Gb/mm增加2至4.40 Gb/mm2这比他们之前的32L 3D NAND产品增加了近90%。模具尺寸比32L NAND小65%。内存阵列效率为89.8%，而32L为84.9%。
2.制版技术:64L 3D NAND产品采用20纳米技术节点(BL半节距)，带有侧壁间隔工艺，如SADP(自对齐双制版)。此前的32L 3D NAND采用80 nm BL间距单光刻技术。
3.双栈NAND字符串:64L 3D NAND字符串由两个32L NAND字符串堆栈组成，即32L + 32L。英特尔/美光首次开发并批量生产了双栈NAND串技术，而其他NAND厂商如三星、东芝和西部数据仍在其64L 3D NAND产品中使用单一NAND串。
4.内存瓦片:使用了内存瓦片，但瓦片布局与英特尔/美光的32L NAND模非常不同。有32个内存块，这意味着内存密度为8 Gb/块。64L模具上的单个瓷砖尺寸为1.10 mm2而32L模具的瓷砖尺寸为9.14 mm2。每个贴图的内存密度达到7.27 Gb/mm2．
5.栅极:英特尔/美光仍然使用薄的FG(浮动栅极)与GAA(栅极周围)和ONO阻隔层。垂直堆叠的门的总数是76个，其中可能有两个选择门(SGS, SGD)和10个虚拟词线放置64个活动词线。相比之下，英特尔/美光32L 3D FG NAND电池结构使用了40个栅极。
6.其他:Intel/Miron保留了CuA (CMOS under Array)，这与32L NAND的架构相同。模具平面图看起来更紧凑，有改进的内存外设设计，包括WL驱动程序和页面缓冲区。此外，还改进了字线衬垫连接掩模设计和工艺集成。
| 项目 | 英特尔(32 l) | 英特尔(64升) |
|---|---|---|
| 死的标记 | 英特尔L06B 2014 (M) (C) | 英特尔B16A 2016 (M((C) |
| 死区 | 168.2毫米2 (15.36毫米x10.95毫米) |
58.18毫米2 (7.43毫米x7.83毫米) |
| 内存密度(/die) | 2.28 Gb /毫米2 | 4.40 Gb /毫米2 |
| 内存阵列效率 | 84.9% | 89.8% |
| 瓷砖数量 | 32记忆瓷砖 | 32记忆瓷砖 |
| 内存(/瓦) | 12 Gb /瓦 | 8 Gb /瓦 |
| 瓦地区 | 9.14毫米2 (2.75毫米x3.32毫米) |
1.10毫米2 (1.10毫米x1.00毫米) |
| 内存密度(/瓦) | 1.31 Gb /毫米2 | 7.27 Gb /毫米2 |
表1:Intel/Micron 32L和64L 3D NAND内存密度和效率的比较
