在STMicroelectronics Mastergan1内部GaN高压半桥-Techstream电源半导体博客

Sinjin Dixon-Warren
Sinjin Dixon-Warren,高级进程分析师
Sinjin Dixon-Warren是一个高级进程分析师,技术人员有超过20年的半导体分析经验,是一个主题专家(中小企业),用于电力电子分析。他在多伦多大学举行了化学物理学博士学位;他的一些特色包括半导体物理和器件,材料科学和表面分析化学。

11月3日,2020年

STMicroelectronics has launched their first foray into the gallium nitride (GaN) power electronics market. The MasterGaN1 is an integrated half-bridge high-voltage driver with two 650 V enhancement mode GaN HEMTs and a bipolar-CMOS-DMOS (BCD) gate driver, according to a recent press release. The two integrated GaN high electron mobility transistors (HEMTs) have anrdson.150mohm,采用9mm×9mm四平板无铅(QFN)封装。

动力网络研讨会

Mastergan1设备代表STMicroelectronics首次基于GaN的产品;然而,圣路斯在甘市场一直活跃。2020年3月,圣诞生于2018年9月的法国公司举行了一项主要股份宣布与CEA Leti合作开发GaN on Si技术。2020年2月,ST和台积电宣布开发GaN的产品的合作。

Inside the STMicroelectronics MasterGaN1 Integrated GAN High Voltage Half-Bridge

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