Innoscience INN40W08 40 V双向甘

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氮化镓(GaN)电力半导体技术在消费电子产品扰乱市场。氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMTs)正在取代传统的硅(Si)功率mosfet在USB-C充电器等产品,提供增强的性能和能力从根本上缩小其尺寸和重量。

下一代宽禁带与竞争对手碳化硅(SiC),氮化镓可以提供更便宜的和改进的解决方案以低得多的电压水平。甘也成功在100 V汽车光探测和测距等市场(激光雷达),无刷直流电机驱动器(刷),并在48 V直流-直流转换器运行(成为首选的高效数据中心配电电压选择)。

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这是一个具有里程碑意义的时刻在宽禁带的成功技术和进一步的声誉提升GaN设备的可靠性。留意进一步的细节。

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