科技博客
混合粘接技术
- 2023年及以后
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最近，TechInsights举办了一场网络研讨会，来自我们的逻辑、图像传感器、内存和工程团队的几位专家回顾了混合粘合技术的应用，并讨论了2023年及以后的情况。
混合键合技术正迅速成为芯片制造的标准方法，因为它能够增加连接密度。线路后端(BEOL)是芯片制造的一部分，其中单个设备(电阻、电容器、晶体管等)连接到晶圆上。在过去的十年中，远beol互连技术的进步继续增加了连接密度。进一步的改进将通过混合键合实现。
techsights的Yuzo Fukuzaki, Alain Gauthier和来自Advanced Logic团队的Eugene Hsu讨论了芯片对晶圆(CoW)混合键合技术是如何在AMD Ryzen 7上首次出现的。他们介绍了如何将内存直接与处理器堆叠，极大地增加了可用的缓存内存，以及混合绑定如何成为国际设备与系统路线图(IRDS) More Moore路线图中描述的系统技术协同优化(异构3D缩放)的里程碑。
我们的Image Sensors主题专家Ziad Shukri, Wilson Machado和Eric Rutulis观察到，自2016年以来，我们已经从索尼看到了晶圆到晶圆(W2W)的堆叠，接合间距小到2.2 μm很常见，并且趋势指向间距小到1.4 μm。他们还解释了直接键连接如何最终实现具有像素内ADC和三个或更多晶圆堆叠的数字像素。
最后，我们的内存专家Jeongdong Choe和Chi Lim Tan解释了混合绑定如何经常用于高带宽内存(HBM)和3D xtack应用。进一步的扩展，更大的成本效益，更少的缺陷，以及热问题的解决方案仍然是必需的，但他们强调，混合键合将是最重要的高密度内存推手之一。
