电子书:
光刻:技术独立和进步的看门人
光刻技术的历史和未来，以及中国对EUV出口限制的回应
先进的光刻技术是半导体发展的一些关键驱动力。中国的中芯国际利用替代光刻技术，在没有使用EUV的情况下实现了7nm工艺，这在以前被认为是不可能的。
这本电子书研究了目前在消费电子产品中使用的各种光刻技术，它们通过其专利在光刻研发和开发中发挥关键作用，以及中国对EUV限制的回应。
先进的光刻技术是将超细特征打印到芯片上所必需的，是现代技术进步的主要推动因素。有许多不同的光刻技术，EUV被认为是当今的领跑者，引领着世界上最先进的芯片。
美国对企业可以向一些中国实体提供的技术实施了限制，包括荷兰公司阿斯麦(ASML)生产的用于EUV光刻的设备。通过这样做，美国(及其支持的西方国家)希望极大地阻碍中国实现最先进半导体技术的能力。
事实上，这些限制引发了创新——在半导体发展中总是如此——中国的中芯国际在没有EUV的情况下悄悄地实现了7nm工艺。
在这本电子书中，辛金·迪克森-沃伦审查了目前正在使用或大量研究和开发的关键光刻技术。电子书包括光刻设备和技术的专利持有的讨论，并进一步评论了中国对EUV限制的回应。
电子书目录:
- 前言由逻辑技术产品经理John Boyd撰写
- 简介
- 中芯国际实现7nm工艺
- 深紫外(DUV)技术
- 自对齐四重模式(SAQP)
- 半导体光刻技术的起源和发展
- 回顾从1960年到ASML EUV的设备和技术的演变
- 实践中的光刻方法- TechInsights对三星5LPE工艺的分析
- 详细的图像检查金属门，鳍心轴，主动鳍切割，以及三星为实现5LPE工艺所采用的不同光刻技术
- 压印光刻和直接自组装光刻
- 研究EUV, NIL, DSA和EBL的主要替代品
- 探索先进光刻技术的专利创新
- 在中国和世界其他地区，EUV及其替代品研发领域领先的公司都拥有专利
- 结论
