ROHM的第四代SiC MOSFET:最低ON电阻
新第四代SiC mosfet具有业界最低的ON电阻
ROHM是领先的功率半导体器件制造商之一，其第四代碳化硅(SiC) MOSFET的发布备受期待。
在我们实验室的MOSFET中，我们惊讶地发现我们在SiC器件中遇到过的最深的源沟槽。根据我们的估计，ROHM已经成功地创造了一个比我们之前在SiC中看到的几乎深两倍的战壕。
蚀刻沟槽在碳化硅中是出了名的棘手。在该器件中，源沟槽周围的p型掺杂对来自高场的栅极氧化物产生了额外的屏蔽(提高了可靠性)，并实现了密集的电池封装(减小间距)。
Rohm声称，通过显著降低寄生电容，开关损耗比上一代降低了50%。改进的沟槽结构有助于提供行业最低的特定ON电阻。
图1:ROHM的第四代SiC MOSFET
以下是我们调查结果的高层总结:
- 新第四代SiC mosfet具有业界最低的ON电阻
- Rohm SCT4045DEC11 Gen4 750 V 45 mΩ
- 最低比导通电阻(RDS(上)A，到目前为止在市场上
- 高各向异性震源沟槽，纵横比约2.5:1
- 围绕整个源沟区域的p型注入
- 与上一代相比，电池间距减少了3倍
ROHM的第四代SiC MOSFET
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