发布:2013年9月20日
特约作者:吉姆·莫里森,雷。方丹迪克·詹姆斯·戴维斯和乍得
内部
2013年9月10日,苹果公司宣布两个新的iphone, 5 s和5 c。自宣布以来,我们在TechInsights一直焦急地等待着机会我们的手在设备上。手机在手,我们做任何一家科技公司要做什么——(仔细)破坏它。跟着我们一起今天我们深入了解什么是新的和令人兴奋的这一次,包括手臂A7 64位CPU和神秘的M7运动协同处理器,以及估计材料清单。
板照片
前板
前板
- 苹果A7处理器/尔必达LPDDR3 (1 GB)
- NXP LPC18A1 M7协处理器
- 高通MDM9615M调制解调器
后板
后板
- 海力士64 GB NAND闪存、包马克:H2JTFG8YD2MBR, 8堆叠NAND闪存,死马克:H27QCG8T2B
- 苹果商标、包装标志:338 s1216-a2, D2045死马克:对话框
- 日本村田公司组合无线电MCM,包马克:339 s0205,死马克:Broadcom BCM43342
- 苹果商标、包装标志338 s11201,卷云逻辑,死马克:CLI1G009A1
苹果iPhone成本估算
苹果iPhone成本估算
A7处理器
A7处理器
处理器这一次苹果的新A7, 64位soc的手臂。
我们已经通过早期分析确认设备是在三星的铸造和制作的确认过程类型和节点在下一节。外模、包照片,金属模具照片和包标记所示。最后一张照片……鼓声响起来……晶体管级模具照片。
A7并使用三星的28
当天早些时候我们建立的外观A7是由三星制造死亡。同时我们的家伙嫁接在实验室,来到“无聊”的结论,芯片看起来一模一样。魔鬼在于细节,然而,我们必须做一些测量的区别。
下面是电子显微镜图像截取的一群A6 (APL0598)芯片的晶体管,在三星工厂款high-k-metal门(HKMG)过程。为了方便我们有十来衡量,所以“联系门距”的维数(一个标准的工业测量)是123海里。
如果我们看的相似图像A7 (APL0698),我们看到联系门距114海里。所以,即使允许测量误差(图+ / - 5海里),我们很确定,我们看到一个缩水,而A7了相同的过程作为新三星Exynos 5410年的28 HKMG过程。这听起来并不多,仅有4海里,但是如果你数学和记住我们说面积缩小,不是线性的维度,然后28 32 ^ ^ 2除以2(784/1024)出现在大约77%的面积等效的功能。或者,考虑到A7是102毫米97毫米^ 2 ^ 2而A6,更多的功能在一个略大的区域。
A7
A7
M7协同处理器
此次协同处理器
M7为苹果公司是一个新的方向——为了降低功耗,M7芯片致力于收集和处理加速度计、陀螺仪和罗盘数据。话虽这么说,此次是一个困难芯片定位在董事会和谣言已经绕了缺乏一个离散的M7芯片内部的iPhone 5 s。预期到目前为止都是指向一个突出的芯片如下见过的苹果市政厅的事件。
幸运的是,我们已经能够找到NXP LPC18A1 M7的形式。LPC1800系列是高性能的基于Cortex-M3的微控制器。这是NXP的重大胜利。我们预期的M7 NXP设备基于输入行业分析师和我们的合作伙伴,我们很高兴看到这种情况。
我们做了一些NXP网站上闲逛、看着他们的LPC范围的产品;我们找不到任何匹配的特定部分的外观LPCA1,特别是30-ball WLCSP包装。所以我们得出了初步的结论,这可能是一个定制LPC18xx芯片为苹果,建造类似这些年我们看到对话框和卷云(A1代表称法?)。
M7致力于处理和翻译由离散传感器提供给它的输入;陀螺仪、加速度计、电子罗盘安装在主要的印刷电路板。传统的苹果技术使我们相信,这些离散传感器是意法半导体加速度计和陀螺仪,而电磁罗盘将再次成为一个透微器件(AKM)。我们已经证实了指南针是AKM AK8963陀螺仪和意法半导体。但是让我们吃惊的是,加速度计实际上是一个设计赢得博世与BMA220 Sensortech使用硬件加速器(第一博世我们见过苹果的产品)。我们深入了解M7和它的孩子们在下一节。
M7的孩子
M7的孩子;使用硬件加速计,使用硬件陀螺仪和指南针IC
我们感兴趣的未知的MEMS器件当我们第一次打开iPhone 5 s一个标记B361LP和另一个B329。
第一种是使用硬件加速计。基于模具标记观察到2毫米x 2毫米设备,第一个未知的MEMS设备被ID会为博世Sensortech BMA220使用硬件加速计。这是第一次在我们的经验观察苹果产品,我们看到一个博世MEMS装置包括在内。以前这是一个由意法半导体独家套接字为主。伟大的套接字赢得博世!
第二个是一个硬件陀螺仪。这个设备与包标记B329已经被确认为一种意法半导体硬件陀螺仪,如预期。
举行另一轮的罗盘插座AKM的AK8963硬件电子罗盘IC。AK8963结合磁传感器来检测X, Y,和Z轴,一个传感器驱动电路、运算电路和信号放大器链。
相机
摄像机
这是可取的,更多的像素或与高灵敏度传感器?然而,我们所有的希望都在某些时候摄像系统和芯片设计者将旋钮向一个或另一个。苹果公司选择站在一个8 Mp 5 s iSight相机的分辨率,但有源像素阵列面积增加了15%。的帮助下一个较大的光圈f / 2.2,系统提供了感光性增加了33%。
iSight相机有黑暗标记符合住房索尼相机模块上的标记IMX145我们看到在iPhone 5和4 s。iPhone 5 s 8 Mp iSight相机模块8.6毫米x 7.8毫米5.6毫米厚。刷新新的iSight相机模块自定义1.5µm像素间距堆叠(Exmor-RS)索尼传感器。
侧视x射线图像显示我们现在常规包装为苹果iSight相机:陶瓷芯片载体背部,黑色背景CMOS图像传感器(CIS)的筹码。撞击键用于死亡信号垫连接到芯片载体的土地。
开瓶和快速透过我们的显微镜显示索尼Exmor-RS传感器的迹象。我们第一次看到索尼的堆叠CMOS图像传感器芯片(使用在矽通过-TSVs)在8 Mp ISX014从富士通的平板电脑,然后在三星Galaxy的13个议员IMX135 S4主要相机(CIS堆放在图像信号处理器(ISP)。
我们已经确认了FaceTime相机芯片是由OmniVision捏造的。
电源管理集成电路
新的电源管理集成电路和音频编解码器和D类放大器
正如我们前面所提到的,我们看到很多熟悉的组件在iPhone 5 s。主要的例外是新A7处理器和两个新的MEMS设备。我们也看到一个新的电源管理IC半导体通过对话框和一个新的音频编解码器和D类放大器的卷云逻辑。对话框的电源管理IC半导体部件编号338 s1216-a2。新部件由卷编号338 s1202 D类音频放大器和338 s1201音频编解码器。注意,音频编解码器是~ 30%小于iPhone 5内的编解码器。
wi - fi SoC
wi - fi SoC
包含在这个模块是BCM43342。这个特定的死亡,我们没有见过的。iPhone 5和其他几个智能手机市场上雇佣BCM4334。Broadcom BCM4334 / BCM43342单一芯片设备与集成IEEE 802.11 a / b / g和单个流IEEE 802.11 n MAC /基带/收音机,蓝牙4.0,调频广播接收器。它是设计用于与外部2.4 GHz和5 GHz前端模块,包括功率放大器、T / R开关和可选的低噪声放大器。
高通MDM9615M 4 g LTE调制解调器
高通的4 g LTE调制解调器
这里我们有高通MDM9615M 4 g LTE调制解调器。该设备利用一个二芯片解决方案的形式三星DRAM保留特定的信息载体和Samsung-fabricated LTE基带处理器。这是最近很受欢迎的选择正如我们所看到的这个设备仅在今年十几个独特的智能手机。
RF PA设计获胜
RF PA设计获胜
芯片提供手机的射频功能往往是在跟踪用户友好型的规范GB的存储的数量,或一个处理器的时钟速度。然而,他们对设备的用户体验至关重要。因为无线电频率的本质,他们还需要一个复杂的许多不同的组件一起工作在和谐——或者更准确地说,不互相干扰。我们的朋友巴克莱在识别射频设计做了彻底的工作赢得在iPhone 5 s:
- 射频微RF3763权力Amplifier-Duplexer B5 (PAD) / 8双垫
- Skyworks SKY77572乐队18/19/20功率放大器设备
- Skyworks SKY77810 2 g /边缘功率放大器模块
- Avago A792503乐队25/3功率放大器设备
- Skyworks SKY77496乐队13/17功率放大器设备
- TriQuint TQF6414乐队1/4双功率放大器设备
尔必达LPDDR3
DRAM设计,尔必达LPDDR3获胜
尽管尔必达的出版解码器部分不包括LPDDR3设备,“F”前缀应当载明产品家族LPDDR3 (B将显示由)。剩余的数量确认4 Gb的使用芯片——两个芯片内存包。
海力士64 GB E2NAND
Flash设计赢——海力士64 GB E2NAND 3.0
NAND闪存的iPhone 5 s是生产的SK海力士(包标记H2JTFG8YD2MBR),符合他们E2NAND3.0标准。E2NAND3.0使用先进的ECC、缓冲和处理来提高性能和可靠性。flash控制器iscentered 8-die flash堆栈上为了维持时间对称。模具中心需要安装flash栈下的控制器为了维持可行wirebond长度。NAND flash是在海力士的21个纳米制造过程,它们指定“2 ynm类”。
