存储器技术的不断发展

存储技术的前景正在不断发展。DRAM和NAND闪存的需求一直在稳步增长，到2030年，STT-MRAM、ReRAM、PCRAM、FeRAM和3D XPoint内存等新兴内存市场预计将达到360亿美元。随着新兴内存制造商在设备扩展方面领先，它们将面临几个挑战。

由TechInsights的高级技术研究员Jeongdong Choe博士撰写的《内存技术2022年及以后》电子书是TechInsights对内存技术的年度洞察的一部分。它探讨了存储器技术的发展、趋势和即将到来的挑战，以及市场参与者如何努力保持领先。

DRAM技术，趋势和挑战

从市场参与者中发现DRAM路线图的重点。了解美光、三星和SK海力士DRAM电池设计之间的差异，并深入研究未来可能的创新。

3D NAND技术，趋势和挑战

探索主要NAND制造商目前正在进行的最新发展，并深入研究到目前为止所采用的设计创新以及成功的产品原型。看看三星、英特尔和其他市场参与者的3D NAND设计之间的差异。

新兴内存技术，趋势和挑战

发现新兴记忆的进化及其对未来的意义。查看新兴的内存路线图，突出STT-MRAM、PCRAM/XPoint、ReRAM/CBRAM、FeRAM和嵌入式DRAM/FLASH存储器，以及Everspin、三星、台积电、Adesto等厂商在该领域的发展。

下载电子书，了解更多关于这些和其他最新的内存技术发展。