定制内存分析以满足您的需求
巨大的前期研发投资要求客户拥有最新、准确的竞争情报
我们的分析量化了未知因素，帮助您做出明智的决策。我们可以确定将高级内存推向市场的成本，我们研究潜在的市场挑战以帮助您确定风险，我们还可以帮助您确定降低风险的策略。
Available Memory Subscriptions
TechInsights Memory产品的开发是为了根据您的行业和角色提供您所需的重点技术情报。
DRAM功能分析（MFR）
包括：
- Executive summary supported with image sets
- 流程节点和铸造标识
- 临界尺寸
- 功能块摘要
- 堆叠光学金属和多晶硅模具照片在CircuitVision中提供。包括校准测量和注释工具
- SEM横截面和斜面成像
- 13-15份报告/年
D级RAM: SWD and Sense Amp Transistor Characterization
包括：
- 晶体管特性报告（TCR）
- IOFF与离子和IOFF与ID的通用曲线，LIN源自
- 5个NMOS和5个PMOS子字线驱动晶体管，在85°C下跨多个VDD
- 5个NMOS和5个PMOS感测放大器晶体管，在85°C下跨多个VDD
- 对于每个通用曲线数据点
- 晶体管特性：ID级,坐,ID级,林,Ioff,VT型,林&五T型,坐，ΔVGS公司,G米，不锈钢，DIBL
- 输出特性
- IOFF与离子和IOFF与ID的通用曲线，LIN源自
- 分析覆盖率
- 4份报告/年
- 趋势分析
- 4小时支持
DRAM外围设计（MDP）：感测放大器，子字线驱动器
包括：
- 简明分析师的关键设备指标摘要
- 感测放大器电路原理图
- 子字线驱动器电路原理图
- CircuitVision提供的延迟DRAM读出放大器和子字线驱动器的详细堆叠SEM图像。包括校准的测量和注释工具
- ~4份报告/年
DRAM：电路分析
包括：
- 全电路分析
- 1 - Memory Array and Peripherals
- 2-地址路径
- 3-数据路径
- 4 - Control Blocks, Configuration and Test Block
- 5-电压发生器系统
- 分析覆盖率
- 全额2 /年
NAND Functional Analysis
包括：
- 分析覆盖率
- Executive summary supported with image sets
- 工艺节点及铸造标识
- 临界尺寸
- 功能块摘要
- 堆叠的光学顶部金属和聚芯片在循环中传递，包括校准测量工具
- 扫描电镜横截面成像
- 13-15份报告/年
- Executive summary supported with image sets
NAND外围设计（MDP）: Page Buffer, Wordline Driver
包括：
- 简明分析师的关键设备指标摘要
- 页缓冲器电路原理图：解码器、开关和控制器
- 字线驱动电路原理图：解码器和开关
- D级etailed stacked plan view SEM images of a beveled NAND page buffer and wordline driver delivered in CircuitVision. CircuitVision includes calibrated measurement and annotation tools
- ~4份报告/年
NAND: Circuit Analysis
包括：
- 全电路分析
- 1 - Memory Array and Peripherals
- 2-地址路径
- 3-数据路径
- 4 - Control Blocks, Configuration and Test Block
- 5-电压发生器系统
- 分析覆盖率
- 全额2 /年
NAND Internal Waveform Analysis
此通道检查在程序、读取和擦除周期中NAND存储单元上使用的波形。
- 在12个月的时间内提交8份报告以及一次在线研讨会
- 提供波形摘要PDF和原始波形.sht文件，使客户能够执行进一步的分析和测量
先进工艺
包括：
- 高级内存要素（AME）
- 专注于领先的边缘NAND和DRAM记忆技术
- Executive summary supported by large image sets
- SEM横截面和斜面成像
- TEM-EDS横截面分析
- 8份报告/年
- 分析覆盖率
- T型echnical trend/roadmap by technology element
- 设计技术交互分析
- 过程集成的详细说明
- 下一个node predictions
- 3 briefings/year
- 趋势分析
- 预测
- 1年度研讨会
- 4小时支持
流程流
*需要高级进程订阅
包括：
- 处理Flow Analysis (PFA)
- Spreadsheets showing process, architecture, mask list, and integration-level process steps
- 8内存/年
- 工艺流程全仿真（PFF）
- PFA内容可能会更新
- 布局GDS完全分解为流程层
- 三维仿真
- Synopsys输入（路由层甲板）*
*Requires Synopsys license to view and modify - 6 Memory / year
- 分析覆盖率
- 细胞设计技术互动分析
- 从晶圆输入到晶圆输出的过程集成的详细说明
- 工艺步骤，材料，设备类型，单位过程
- SEM和TEM横截面和顶视图图像
- Layer annotations, specific process module, assumption
- 趋势分析
- +4小时支持
Embedded & Emerging Functional Analysis (MFR)
包括：
- 分析覆盖率
- 专注于前沿嵌入式和新兴的记忆技术
- Executive summary supported with image sets
- 工艺节点及铸造标识
- 临界尺寸
- 功能块摘要
- CircuitVision中提供的堆叠光学顶部金属和多晶硅照片TM值
- SEM斜面
- 扫描电镜横截面成像
- 4份报告/年
嵌入式流程分析
包括：
- 分析覆盖率
- 专注于前沿嵌入式和新兴内存
- Executive summary supported by large image sets
- SEM横截面和斜面成像
- TEM横断面与TEM EDS
- T型echnical trend/roadmap by technology element
- 设计技术交互分析
- 过程集成的详细说明
- 下一个node predictions
- 4份报告/年
- 趋势分析 - 1简介/年
- 预测
- 问答
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